MIP進(jìn)激烈較量期：大廠擁抱，推動Micro LED應(yīng)用迭代升級

    進(jìn)入2024年以來，MIP（Micro LED in Package）封裝的Micro LED直顯產(chǎn)品熱度迅速升溫。不完全數(shù)據(jù)顯示，MIP LED直顯產(chǎn)品型號，2024年春季同比增幅超10倍。有業(yè)內(nèi)人士表示，室內(nèi)小間距LED顯示需求，到2026年 Micro LED市場規(guī)模有可能追平Mini LED產(chǎn)品規(guī)模。這其中，Micro LED利用MiP封裝工藝的進(jìn)步，將是重要助力。

    MIP讓Micro芯兼容Mini工藝

    MIP類封裝芯片的最大競爭優(yōu)勢有三個，包括對巨量轉(zhuǎn)移良率和高精度修復(fù)的友好、對Micro LED新規(guī)格芯片的友好、以及對成熟的終端集成工藝的友好。尤其是后者，成為了其核心競爭力：

    其中，典型的0404、0606、1010MIP等燈珠產(chǎn)品，可以很好的兼容SMD表貼工藝。即對目前產(chǎn)業(yè)中二三線企業(yè)普遍依賴的傳統(tǒng)工藝、設(shè)備和技術(shù)無縫銜接。這減少了將Micro LED技術(shù)快速引入到下游終端產(chǎn)品中的“中下游”投資和技術(shù)難度，擴大了應(yīng)用市場拓展的基本面，并賦予二三線LED直顯企業(yè)利用已有技術(shù)和設(shè)備，進(jìn)入P1.0以下產(chǎn)品和Micro LED時代的“同等競爭機遇”。

    另外，0202、0404MIP封裝燈珠產(chǎn)品，不僅可以采用SMD表貼工藝，更是可以兼容既有的COB技術(shù)、COG技術(shù)工藝。特別是將Micro LED的裸芯，50微米以下的尺寸、對PCB需求50微米以下線寬的極限操作，轉(zhuǎn)化為200微米以上的封裝燈珠尺寸、50-100微米的PCB線寬需求——這種轉(zhuǎn)化，等于利用此前已經(jīng)開發(fā)并量產(chǎn)的Mini級別LED芯片終端集成工藝和設(shè)備，既可以處理0202等MIP燈珠產(chǎn)品的集成加工。

    目前，小間距LED顯示先進(jìn)產(chǎn)品以處理Mini級別的芯片為主要的成熟制程.無論是SMD、COB，還是COG都可以依托MIP封裝技術(shù)，實現(xiàn)用Mini的終端工藝處理Micro級芯片燈珠的跨代升級。

    同時，通過MIP封裝應(yīng)用Micro級芯片可以獲得更低的像素晶圓成本、COB等工藝前的燈珠篩選、COB等不用分次處理RGB芯片，而是一次完成RGB燈珠集成……進(jìn)一步提升了COB過程的良率、可靠性和灰度一致性，并降低了流程復(fù)雜度和成本。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，0202的MIP封裝或成為COB產(chǎn)品再次進(jìn)化增效的利器。

    “Micro LED應(yīng)用的最大難度就是顆粒尺寸太小，進(jìn)入到10微米級別；這對于傳統(tǒng)的善于處理毫米級別器件的LED直顯產(chǎn)品很不友好——MIP的核心優(yōu)勢就在于，通過一次燈珠封裝，將10微米級別的器件，拉回到毫米或者亞毫米級別：MIP就是Mini技術(shù)的難度，Micro級別的產(chǎn)品的中間橋！”

    行業(yè)研究認(rèn)為，MIP方案，將Micro LED技術(shù)的未來進(jìn)步與變化，隔離在晶圓、外延、裂片、封裝等前部產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)；而包括P0.3等常規(guī)彩電級別的LED大屏下游和終端集成，則可依賴既有技術(shù)不斷完善即可。這極大的保障了下游產(chǎn)業(yè)鏈工藝和資源的持續(xù)性，降低了產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)投資成本，極有利于新的上游技術(shù)快速落地。

    推動Micro LED新技術(shù)新應(yīng)用迭代升級

    2023年MIP的主流規(guī)格是0404，2024年這一規(guī)格已經(jīng)向0202產(chǎn)品延伸。量產(chǎn)0202產(chǎn)品，更好的向P0.3X到P0.9應(yīng)用市場提供Micro LED產(chǎn)品，這成為主流行業(yè)玩家的共同目標(biāo)。0202也是MIP器件中對COB兼容性更佳的選擇。

    同時，2024年無襯底MIP產(chǎn)品也成為了研發(fā)重點。例如，2024年2月，國星光電申請了公開號CN202410200472.5的名為“一種超薄LED芯片的制備方法及超薄LED芯片”的專利，即是一種無襯底熒光粉芯片方案。無襯底被認(rèn)為是繼倒裝工藝之后，LED產(chǎn)業(yè)芯片封裝進(jìn)一步挖潛發(fā)光效率,提升亮度、散熱性能和有效延長使用壽命的非材料性進(jìn)步工藝。但是，無襯底工藝，增加了“襯底剝離”環(huán)節(jié)，對于已經(jīng)困于巨量轉(zhuǎn)移的良品率和巨大操作量的Micro LED而言，并不容易落地。

    而采用MIP封裝方案后，其對巨量轉(zhuǎn)移成品率的要求要低一個數(shù)量級，可以在顯示集成前做像素級的品控篩選，進(jìn)而對于無襯底技術(shù)的應(yīng)用提供了更寬的工藝空間。

    此外，2024年以來MIP固晶良率進(jìn)一步提升。業(yè)內(nèi)企業(yè)表示，RGB三原色0404產(chǎn)品固晶良率可達(dá)到5個9。且作為獨立器件，RGB MIP在此后的測試環(huán)節(jié)，主要是進(jìn)行一致性篩選和不良剔除，其不需要Micro LED-COB工藝中，對缺陷的修復(fù)。在此后的終端制備中，亦只需要百微米級別的修復(fù)工藝和設(shè)備，不需要十微米級別器件的高精度修復(fù)設(shè)備與工藝�！�—即整體的良率提升和修復(fù)工藝友好性，保障了MIP未來向低成本演進(jìn)的可能性。

    “封裝規(guī)格更小、無襯底技術(shù)帶來更好光效、更高良率、更小的Micro LED芯片……”2024年來，MIP的進(jìn)步速度依然驚人。這也驅(qū)動了更多行業(yè)企業(yè)對MIP的擴產(chǎn)熱情。

    大廠擁抱，擴張MIP產(chǎn)能成未來競爭點

    進(jìn)入2024年以來，行業(yè)加速MIP產(chǎn)品量產(chǎn)進(jìn)程。推動更多新興MIP應(yīng)用產(chǎn)品落地成為行業(yè)頭部企業(yè)共識：

    例如，近期芯映光電展示了采用MiP0202器件制作的Micro LED P0.9 2K顯示屏，并表示0202產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，芯映光電湖北項目，主要是支持三安等上游芯片產(chǎn)能的封裝需求，占地面積300畝，建筑面積達(dá)40萬平方米，總投資80億元，建成后將形成Mini/Micro LED新型顯示器件50000KK/月產(chǎn)能。

    洲明科技則表示，在Micro LED芯片級封裝方面，其已經(jīng)突破巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)實現(xiàn)Micro LED 30微米*50微米尺寸無襯底技術(shù)，率先實現(xiàn)行業(yè)0202（0.2mm*0.2mm）MIP封裝器件技術(shù)突破，同步實現(xiàn)MIP P0.4間距顯示產(chǎn)品封裝。目前其Mini/Micro LED產(chǎn)能為3000KK/月，并計劃于2024年底擴產(chǎn)至10000KK/月（COB產(chǎn)能4000KK/月，MIP產(chǎn)能6000KK/月）。

奧拓電子在美國Infocomm USA展全系列MIP產(chǎn)品

    國星光電年初表示，針對不同LED顯示點間距與應(yīng)用需求,將旗下MIP產(chǎn)品劃分為了MIP-IMD與MIP-CHIP兩大方向。其RGB器件事業(yè)部現(xiàn)已達(dá)成MIP產(chǎn)品1000KK/月產(chǎn)能規(guī)模,有力承接Micro LED/Mini LED時代高質(zhì)量發(fā)展拓展需求。

    “雖然投產(chǎn)產(chǎn)能有限，但是未來擴張動力十足。”行業(yè)分析認(rèn)為，MIP已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)能比拼的新發(fā)展階段。搶占產(chǎn)能優(yōu)勢，進(jìn)而通過技術(shù)工藝的逐漸成熟、規(guī)模效益等，拉低MIP產(chǎn)品綜合成本，是未來三、五年內(nèi)LED直顯行業(yè)競爭的一大中心點。業(yè)內(nèi)企業(yè)預(yù)測3年左右，MIP產(chǎn)品的成本渴望在同等微間距下低于傳統(tǒng)燈珠產(chǎn)品。

    2023年之前是技術(shù)打通、2023年實現(xiàn)量產(chǎn)流程打通、2024年進(jìn)入產(chǎn)能競賽階段……MIP的發(fā)展正在迎來日益“激烈”的全面較量期。作為Micro LED產(chǎn)品目前最容易成熟落地的方案，MIP在大屏LED顯示市場即將迸發(fā)出怎樣的能量，值得長期關(guān)注。