杭州士蘭微電子股份有限公司預計 2024 年度實現歸母凈利潤為 15,000 萬元到 19,000 萬元,與上年同期相比,將實現扭虧為盈。預計 2024 年度實現扣非凈利潤為 18,400 萬元到 22,400 萬元,與上年同期相比,將增加 12,510 萬元到 16,510萬元,同比增加 212.39%到 280.31%。
2023年,士蘭微實現歸母凈利潤虧損3,578.58 萬元,扣非凈利潤5,889.92 萬元。
本期業(yè)績變動的主要原因
(一)報告期內,面對市場競爭加劇的壓力,公司通過持續(xù)推出富有競爭力的產品,持續(xù)加大對大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場的拓展力度,加快產品結構調整的步伐。在電源管理芯片、IGBT 器件、IPM 智能功率模塊、PIM 功率模塊、碳化硅 MOSFET 器件、超結 MOSFET 器件、MEMS 傳感器、MCU 電路、SOC 電路、快恢復管、TVS 管、穩(wěn)壓管等產品出貨量增長的帶動下,公司總體營收保持了較快的增長勢頭。
(二)報告期內,公司子公司士蘭集成 5、6 吋芯片生產線、子公司士蘭集昕8吋芯片生產線、重要參股企業(yè)士蘭集科12吋芯片生產線均實現滿負荷生產。
公司已安排技改資金進一步提升 8 吋線 MEMS 芯片產能、12 吋線 IGBT 芯片和模擬電路芯片產能。公司預計 2025 年 5、6、8、12 吋芯片生產線將繼續(xù)保持較高的產出水平。
報告期內,公司子公司成都士蘭、成都集佳功率模塊和功率器件封裝生產線實現了滿負荷生產,公司根據市場需求已安排了多輪產能擴充項目。
報告期內,公司加快子公司士蘭明鎵 6 吋 SiC 芯片生產線產能建設,目前士蘭明鎵已具備月產 0.9萬片 SiC MOSFET 芯片的生產能力。公司已完成了第Ⅲ代、第Ⅳ代平面柵 SiC MOSFET 芯片的開發(fā),性能指標達到業(yè)內同類器件結構的先進水平。基于公司Ⅱ代 SiC MOSFET 芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊,已實現向下游汽車用戶批量供貨;基于公司Ⅳ代 SiC MOSFET 芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊已在客戶端驗證,預計 2025 年實現批量供貨。
報告期內,公司在廈門加快建設一條以 SiC MOSFET 為主要產品的 8 英寸SiC 功率器件芯片制造生產線,項目一期投資規(guī)模 70 億元,規(guī)劃產能 3.5 萬片/月,預計 2025 年年底實現初步通線。
報告期內,公司完成了杭州、廈門兩地 LED 芯片生產線的整合。整合后的LED 芯片生產線的生產能力已達到 14-15 萬片/月。公司通過對 LED 芯片生產線技術改造,較大提升了 mini-LED 芯片的生產能力。
(三)報告期內,公司在積極擴大芯片生產線和封裝生產線產出能力的同時,持續(xù)開展了各主要環(huán)節(jié)成本費用控制、管理效率提升等活動,目前已取得了積極成效。四季度,公司產品綜合毛利率較三季度已有所回升。隨著上述活動的持續(xù)深入進行,預計 2025 年公司產品綜合毛利率水平將進一步改善。
(四)經過二十多年的發(fā)展,公司已成為目前國內領先的 IDM 公司。作為IDM 公司,公司帶有資產相對偏重的特征,在外部經濟周期變化的壓力下,也會在一定程度上承受經營利潤波動的壓力。但是相較于輕資產型的 Fabless 設計公司,公司在特色工藝和產品的研發(fā)上具有更突出的競爭優(yōu)勢:實現了特色工藝技術與產品研發(fā)的緊密互動,以及集成電路、功率器件、功率模塊、MEMS 傳感器、光電器件和第三代化合物半導體芯片的協(xié)同發(fā)展;公司依托 IDM 模式形成的設計與工藝相結合的綜合實力,加快提升產品品質、加強控制成本,向客戶提供高質量、高性價比的產品與服務,可滿足下游整機(整車)用戶多樣化需求,具有較強的市場競爭能力。2024 年全年,公司電路和器件成品的銷售收入中,已有超過 75%的收入來自大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場。
當前,在國家政策持續(xù)支持,以及下游電動汽車、新能源、算力和通訊等行業(yè)快速發(fā)展、芯片國產替代進程明顯加快的大背景下,士蘭微電子迎來了較快發(fā)展的新階段。士蘭微電子將持續(xù)推動滿足車規(guī)級和工業(yè)級要求的器件和電路在各生產線上量,持續(xù)推動士蘭微整體營收的較快成長和經營效益的提升。