Saphlux成功開發(fā)出2微米全彩Micro LED陣列，取得了AR顯示領域重要突破

    2021年10月，來自耶魯大學的賽富電子（Saphlux）科技有限公司，成功開發(fā)出子像素尺寸為2微米的全彩Micro LED陣列，取得了AR顯示領域的一次重要突破。

2微米R-G-B NPQD Micro LED陣列

    10微米以下的小尺寸Micro LED存在巨量轉(zhuǎn)移難度大的問題。因此，目前大部分AR屏幕廠商皆采用LED晶圓鍵合（wafer bonding）CMOS的方式制備單色屏幕。如何實現(xiàn)這個尺寸下的全彩轉(zhuǎn)換成為業(yè)界的一大挑戰(zhàn)。

    但是，目前傳統(tǒng)的量子點打印或量子點光刻的色彩轉(zhuǎn)換方式由于其打印線寬寬、轉(zhuǎn)換效率低、膠層厚度大、保護性差等問題，難以滿足像素尺寸小于5微米的全彩AR顯示要求。

    據(jù)介紹，賽富電子團隊利用其獨有的NPQD技術，創(chuàng)造性地使用納米孔（Nanopores）氮化鎵結構作為天然的量子點載體，并通過選擇性注入QD技術獲得了量子點的晶圓級原位封裝，實現(xiàn)了小尺寸全彩轉(zhuǎn)換技術的突破。

NPQD?全彩轉(zhuǎn)換技術

    此外，傳統(tǒng)由鋁銦鎵磷(AlInGaP) 磊晶制成的紅光Micro LED受限于缺陷密度大以及取光難等問題，其光效會隨著芯片尺寸的微縮而急劇下降。

    賽富電子介紹，其NPQD?技術采用氮化鎵結合紅光量子點進行色彩轉(zhuǎn)換，規(guī)避了這一材料限制。同時，經(jīng)過優(yōu)化后的納米孔氮化鎵具有極強的散射效應，能夠?qū)⒂行Ч鈴教岣?倍，出光面積提高40倍，在5微米的量子點厚度內(nèi)實現(xiàn)99.99%的光轉(zhuǎn)換效率。

NPQD? vs AlInGap 效率對比

    據(jù)悉，除了全彩AR Micro LED陣列這一里程碑式的成果外，賽富電子還已量產(chǎn)應用于小間距屏的NPQD? R1和T1系列Micro LED芯片，并且產(chǎn)品已經(jīng)通過數(shù)家行業(yè)頭部企業(yè)的測試、點亮屏幕，進入了交付階段。

    對此，賽富電子表示：“作為目前業(yè)界唯 一一款批量在售的量子點Micro LED芯片產(chǎn)品，它證明了NPQD? Micro LED芯片的優(yōu)越性，并標志著這一技術已從實驗室研發(fā)成功走向商業(yè)化�！�

NPQD? Micro LED小間距屏