踏IDF七彩祥云 Ivy Bridge處理器解析

3D晶體管技術(shù)革新現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)
來源:泡泡網(wǎng) 更新日期:2012-04-15 作者:佚名
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    3D晶體管技術(shù)革新現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)

    從前面關(guān)于3D Tri-Gate工藝的介紹來看,這一創(chuàng)新技術(shù)給桌面處理器帶來了無“限”可能,實(shí)際上,Tri-Gate工藝還將引發(fā)現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的革新。

    Intel將在以上五家晶圓廠采用22nm Tri-Gate制造工藝

    3D Tri-Gate工藝為移動(dòng)設(shè)備帶來更廣闊發(fā)展空間

    晶體管是現(xiàn)代電子的基石,3D Tri-Gate工藝一舉改變了沿用了50多年的晶體管設(shè)計(jì),它不僅延續(xù)了摩爾定律,還將為移動(dòng)處理器芯片掃清體積和功耗上的障礙,從而在為移動(dòng)計(jì)算設(shè)備提供媲美桌面處理器性能的同時(shí),進(jìn)一步降低設(shè)備功耗,這在電池技術(shù)發(fā)展緩慢的當(dāng)前具有非凡的意義。

    晶體管制造工藝發(fā)展

    Intel計(jì)劃推出14nm制程的Atom處理器

    Intel目前正在進(jìn)入移動(dòng)處理芯片市場,借助3D Tri-Gate工藝,Intel可以推出更低功耗的Atom處理器(關(guān)于Atom處理器發(fā)展歷史可參考文章:終究能否逆天!Intel Atom全面回顧),從Intel Atom處理器路線圖上我們看到,Intel計(jì)劃于2014年推出14nm的Atom,3D Tri-Gate工藝則在2013年就登陸22nm的Atom了。在3D Tri-Gate新工藝幫助下,Intel將能推出性能更強(qiáng)、功耗更低的SoC芯片,一切順利的話,智能手機(jī)和平板機(jī)市場的格局將會(huì)全面改變。

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