外行看熱鬧內(nèi)行看門道之彩電“內(nèi)涵”篇

    回顧往昔，a-Si 一直是TFT背板的主要技術(shù)方案。A-Si TFT技術(shù)具有制造成本低，成品率較高以及基板制造升級(jí)相對(duì)簡(jiǎn)單，目前可以用超大的9平方米玻璃基板進(jìn)行量產(chǎn)。這種世代升級(jí)帶來的成本降低日益滿足了消費(fèi)者的價(jià)格預(yù)期，使得a-Si TFT-LCD產(chǎn)品成為了顯示業(yè)內(nèi)的主流產(chǎn)品。

    晶體管的功能主要是為像素充電，快速達(dá)到工作電壓，并保持像素上的電量直到下一次刷新信號(hào)。對(duì)于晶體管來講，一個(gè)關(guān)鍵的性能是載流子的遷移率，即電子的移動(dòng)速度。電子遷移率低意味著響應(yīng)緩慢。A-Si的載流子遷移率將不能夠勝任高分辨率，高響應(yīng)速度顯示屏的要求，如最新的高端智能手機(jī)和平板電腦等顯示屏。

    可替代a-Si的技術(shù)目前有LTPS（低溫多晶硅）和MO（金屬氧化物）。最好的替代材料應(yīng)該有更高的載流子遷移率，而且制造成本要低，量產(chǎn)的良率要高以及制造工藝能夠向大尺寸化（同時(shí)保持薄膜的均勻性）升級(jí)，進(jìn)一步發(fā)揮世代升級(jí)帶來的單位面積制造成本降低的優(yōu)勢(shì)。

    相對(duì)地，LTPS具有最高的載流子遷移率，不過制造成本也最高，由于LTPS需要更多的工藝步驟。而且LTPS工藝在獲得良好的薄膜均勻性和高良品率方面也面臨很大的挑戰(zhàn)。此外，LTPS在世代升級(jí)上受到一定的限制，目前主要的瓶頸在激光退火設(shè)備，只能對(duì)應(yīng)中等基板尺寸（小于3平方米）。

    MO技術(shù)，采用銦鎵鋅氧組分的金屬氧化物成為業(yè)界最具希望的替代技術(shù)，能夠在大尺寸玻璃基板上獲得所需的高遷移率和高均勻性。（今天，應(yīng)用材料公司正式發(fā)布了一項(xiàng)新的PECVD技術(shù)，用于制造MO TFT的絕緣薄膜，其可容納的基板尺寸有9平方米大小，如前面a-Si中提到的尺寸。）MO 工藝，對(duì)比LTPS，所需的光罩工序更少，而且具有在室溫條件沉積薄膜的優(yōu)點(diǎn)，意味著在未來的柔性顯示襯底上可以進(jìn)行同樣的成膜工藝。

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