AET阿爾泰發(fā)布Micro級與Mini級MIP新品

    成為客戶看得見的真實(shí)體驗(yàn)；

    讓領(lǐng)創(chuàng)產(chǎn)品，成為客戶用得上的價值引擎。

    2026年，AET阿爾泰正式推出NX MIP系列重磅新品——涵蓋Micro級MIP與Mini級MIP兩大產(chǎn)品線，實(shí)現(xiàn)從極致顯示到規(guī)模應(yīng)用的完整布局。

    這不僅是兩款新品的震撼亮相，更是MIP賽道上的兩臺全新價值引擎——Micro級定義極致，Mini級賦能規(guī)模，雙線齊發(fā)，助力客戶在市場競爭中贏得領(lǐng)先優(yōu)勢，在用戶體驗(yàn)中收獲持久信賴。

    要全面詮釋這兩款新品的價值，必須先讀懂它們共享的技術(shù)底座——MIP。

    MIP：從“貼燈珠”到“封芯片”——芯片級封裝的技術(shù)躍遷

    MIP，全稱Mini/Micro LED in Package，其核心理念是：先把Mini/Micro LED芯片封裝成獨(dú)立的發(fā)光單元，再固晶/貼裝成為顯示模組。

    與傳統(tǒng)SMD等技術(shù)最大的不同在于，MIP的核心從“燈珠”轉(zhuǎn)向了“芯片級封裝體”。

    通俗地說，SMD與IMD是“燈珠貼上去”，而MIP是“芯片封進(jìn)去”。

    在封裝工藝上，MIP采用倒裝芯片+固晶焊接的結(jié)構(gòu)，摒棄金線打線工藝，使封裝更加緊湊、可靠。

    這帶來三個顯著變化：

    更小更精密：支持P0.4及以下超微間距顯示；

    更高可靠性：封裝體為芯片提供結(jié)構(gòu)保護(hù)，抗應(yīng)力性能更優(yōu)；

    更好光色效果：MIP燈珠可進(jìn)行混晶、分光分色，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的光色一致性。

    MIP不僅是封裝工藝的升級，更是連接現(xiàn)有Mini LED產(chǎn)業(yè)體系與未來Micro LED顯示的關(guān)鍵技術(shù)。

    目前，在P0.6及以下的超微間距領(lǐng)域，COG、COB等方案受限于巨量轉(zhuǎn)移良率等瓶頸，規(guī)�；�量產(chǎn)尚存挑戰(zhàn)。而MIP通過先進(jìn)封裝制程（藍(lán)寶石LLO+巨量轉(zhuǎn)移+RDL），將Micro LED芯片預(yù)制成微小封裝體，成為目前實(shí)現(xiàn)Micro顯示穩(wěn)定量產(chǎn)的先行方案。

    根據(jù)芯片尺寸與襯底處理工藝的不同，MIP可分為Mini級MIP與Micro級MIP兩大技術(shù)路徑，兩者的核心區(qū)別在于芯片尺寸大小與是否剝離藍(lán)寶石襯底。

    01 Mini級NX MIP：成熟可靠，加速規(guī)模應(yīng)用

    Mini級MIP采用尺寸介于100μm至300μm、未剝離藍(lán)寶石襯底的Mini LED倒裝芯片，通過固晶封裝制成MIP封裝體。其技術(shù)難點(diǎn)集中于前段封裝工藝——如何高效、穩(wěn)定地將Mini芯片封入MIP封裝體。

    Mini級MIP方案的核心優(yōu)勢包括：

    封裝效率高：一次固晶同時轉(zhuǎn)移RGB三顆芯片，效率提升三倍；

    制程要求低、良率高：MIP封裝體尺寸、引腳和GAP間距均大于倒裝Mini LED芯片，對PCB板精密度和固晶精度的要求更低，有利于提升整體良率；

    顯示效果優(yōu)化：可實(shí)現(xiàn)混晶（物理炒燈），提升顯示均勻性，減少模組二次分選的工序。

    AET阿爾泰Mini級NX MIP新品亮點(diǎn)

    點(diǎn)間距P1.25，亮度1000nits，刷新率3840Hz，畫面層次豐富、動態(tài)流暢；

    MIP+GOB封裝，顯示面防護(hù)等級達(dá)IP65，芯片受封裝體保護(hù)，可靠性更高、壽命更長；

    單臺整機(jī)獨(dú)立包裝，全方位保障產(chǎn)品運(yùn)輸安全，開箱即享品質(zhì)體驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)高效部署；

    支持無線硬連接與熱插拔，模組全前維護(hù)，電源與信號雙重備份可選；

    全面適配會議中心、商業(yè)展示、高端零售等規(guī)�；瘧�(yīng)用場景。

    02 Micro級NX MIP：極致顯示，定義旗艦標(biāo)準(zhǔn)

    當(dāng)芯片尺寸縮小至Micro級（小于100μm）時，若直接用于LED顯示模組上，將面臨電路連接困難、良率低、芯片可靠性差等問題。且芯片尺寸進(jìn)一步縮小至100μm時，傳統(tǒng)帶藍(lán)寶石襯底的圓片研磨減薄制程將變成工藝瓶頸，極容易出現(xiàn)研磨裂片問題，導(dǎo)致芯片良率低于50%，難以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。因此需要引入激光剝離藍(lán)寶石襯底工藝（LLO）。

    而Micro級MIP，采用的是剝離藍(lán)寶石襯底的超小尺寸Micro RGB芯片（小于100μm），實(shí)現(xiàn)了真正意義上的“芯片級封裝”。

    在封裝結(jié)構(gòu)上，Micro級MIP沿用倒裝芯片+固晶的方案，通過“預(yù)封裝”方式，將微米級芯片通過先進(jìn)封裝制程（藍(lán)寶石LLO+巨量轉(zhuǎn)移+RDL）整合為結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、尺寸更大的MIP封裝體，簡化后段制造流程，并解決返修、良率和產(chǎn)線兼容性等痛點(diǎn)。

    而這一技術(shù)路徑的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，主要集中在芯片制程的后段工藝——如何高效剝離藍(lán)寶石襯底、以及如何突破Micro芯片巨量轉(zhuǎn)移的技術(shù)瓶頸。由于Micro LED芯片本身成本高昂、制程復(fù)雜，目前這一技術(shù)目前仍處于爬坡階段，尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模普及應(yīng)用。

    Micro級MIP方案的核心優(yōu)勢包括：

    優(yōu)異的光學(xué)性能：剝離藍(lán)寶石襯底后，芯片厚度＜10μm，可視角＞170°，RGB芯片面積和間距都縮小，混光效果更佳，無偏色、無藍(lán)黃線；

    卓越的顯示效果：無金線遮擋，芯片更小黑區(qū)更大，輕松實(shí)現(xiàn)＞10000:1的超高對比度；

    高可靠性：無襯底、無焊線，PAD和線路一體化設(shè)計(jì)，避免了金屬遷移等可靠性問題。

    AET阿爾泰Micro級NX MIP新品亮點(diǎn)

    點(diǎn)間距P0.78、P0.93，3840-7680Hz高刷新率，13-16bit灰度等級；

    支持1200nits亮度，12000:1超高對比度，畫面細(xì)膩、色彩飽滿；

    “納米黑”表面處理技術(shù)+無襯底發(fā)光IC設(shè)計(jì)，黑屏純凈度大幅提升，視覺效果深邃通透；

    170°超廣視角，IP65防護(hù)等級，防水、防塵、防磕碰，適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境；

    支持無線硬連接、熱插拔、全前維護(hù)，電源與信號雙重備份可選；

    輕松實(shí)現(xiàn)2K/4K/8K及以上標(biāo)準(zhǔn)分辨率，支持定制化外觀后蓋。

    從Mini級MIP的成熟可靠，到Micro級MIP的極致顯示，AET阿爾泰依托集芯片、封裝、應(yīng)用于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，率先實(shí)現(xiàn)MIP技術(shù)的雙線量產(chǎn)與商業(yè)化落地。

    NX MIP系列正式啟航。

    無論您追求極致畫質(zhì)、規(guī)模效益，還是尋求差異化的競爭優(yōu)勢，AET阿爾泰都能以多層次產(chǎn)品矩陣和行業(yè)解決方案，極致滿足客戶的多樣化需求。