壹倍產(chǎn)品 | Micro LED 晶圓級PL巨量檢測設(shè)備

    產(chǎn)品介紹

    MicroLED晶圓級PL巨量檢測設(shè)備

    該設(shè)備應(yīng)用于 Micro LED 芯片的晶圓級巨量檢測過程中，對Micro LED晶圓進(jìn)行檢測，對芯片發(fā)光性能進(jìn)行監(jiān)控，提高良率，對分BIN工藝提供分選依據(jù)。隨著 LED 晶粒尺寸的縮小，每片晶圓上的晶粒數(shù)量會達(dá)到數(shù)百萬或千萬顆以上，需對每顆 LED 晶粒進(jìn)行光學(xué)性能檢測。我們采用顯微光致發(fā)光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗場成像，實(shí)現(xiàn)透明樣品的無接觸、非破壞性和超快速的缺陷/亞表面缺陷檢出，從而大幅提高生產(chǎn)效率和良率，降低生產(chǎn)成本，加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

    1.采用高效高精度的巨量目標(biāo)光譜采集技術(shù)。通過高空間分辨的光強(qiáng)光譜采集方法，實(shí)現(xiàn)對巨量目標(biāo)的同步檢測，同時采集光強(qiáng)和光譜信號，提高檢測效率。

    2. 采用Micro-LED光致發(fā)光區(qū)域均勻激發(fā)技術(shù)。采用特殊的光學(xué)照明系統(tǒng)避免激發(fā)光差異性帶來的發(fā)光異常，實(shí)現(xiàn)均勻光源激發(fā)下光致發(fā)光強(qiáng)度一致性檢測。

    3. 采用缺陷Micro-LED光致發(fā)光特性大數(shù)據(jù)模型。分析其發(fā)光光強(qiáng)光譜類型，建立異常芯片數(shù)據(jù)庫，研究基于光譜參數(shù)層面的Micro-LED缺陷與異常診斷方法，確定空間、光強(qiáng)、光譜參數(shù)，實(shí)現(xiàn)高效精準(zhǔn)的異常判斷，滿足Micro LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的檢測需求。

    應(yīng)用領(lǐng)域

    COW/COC1/COC2 的MicroLED Wafe的缺陷檢測；4", 6" EPI的缺陷檢測

    產(chǎn)品優(yōu)勢

    超高速無損檢測

    優(yōu)異的再現(xiàn)性和穩(wěn)定性

    亞微米級分辨率

    典型的檢測結(jié)果

    相同位置MicroLED芯片PL vs AOI

    PL發(fā)現(xiàn)中間芯片發(fā)光異常                      AOI觀察圖像均正常       

    發(fā)光亮度分布

通過PL亮度可以卡控發(fā)光異常的芯片

    （如上wafer存在較多暗點(diǎn)聚集區(qū)域）

    發(fā)光波長分布

    通過PL波長檢測可以為區(qū)域分BIN提供支撐數(shù)據(jù)

    （如上wafer以2.5nm波長可劃分為3塊主要區(qū)域）