AET 阿爾泰即將解碼 Micro 級(jí) MIP 應(yīng)用新范式

來源:投影時(shí)代 更新日期:2025-10-10 作者:pjtime資訊組

    當(dāng)超高清應(yīng)用普及浪潮與近眼顯示需求碰撞,當(dāng)像素密度成為沉浸感與商業(yè)溢價(jià)的核心指標(biāo),LED 直顯行業(yè)正迎來從 “間距微縮” 到 “體驗(yàn)躍遷” 的關(guān)鍵拐點(diǎn)。作為 LED 直顯行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化領(lǐng)創(chuàng)者,AET 阿爾泰以 “Micro 級(jí) MIP 標(biāo)準(zhǔn)顯示產(chǎn)品” 為核心突破,用技術(shù)創(chuàng)新打破行業(yè)瓶頸,用場(chǎng)景落地賦能產(chǎn)業(yè)升級(jí),不斷刷新超高清顯示的未來邊界與實(shí)踐成果。

    10月11日,AET阿爾泰首席技術(shù)顧問莊文榮將出席2025半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)年會(huì)并發(fā)表“Micro級(jí)MIP標(biāo)準(zhǔn)顯示產(chǎn)品應(yīng)用”主題演講,敬請(qǐng)期待!

AET 阿爾泰即將解碼 Micro 級(jí) MIP 應(yīng)用新范式

    嘉賓簡(jiǎn)介

    莊文榮,項(xiàng)目負(fù)責(zé)人/GaN外延器件和設(shè)備專家;

    1998年鴻程半導(dǎo)體,外延生長(zhǎng)GaN/Si,成功開發(fā)AlN/GaN緩沖層和P型摻雜;

    2002年廣鎵光電研發(fā)化合物半導(dǎo)體GaN/SiC,外延器件開發(fā);

    2004成功開發(fā)出華人第一臺(tái)量產(chǎn)型MOCVD;

    2007組建廈門三安技術(shù)團(tuán)隊(duì)并成功成為世界知名大廠;

    2010組建蕪湖三安(113臺(tái)MOCVD)并同時(shí)參與化合物半導(dǎo)體研發(fā);

    成功開發(fā)出PSS/DBR/AlN濺鍍/石墨烤盤等關(guān)鍵工藝并量產(chǎn);

    擁有專利169件,獲授權(quán)79件(含發(fā)明23件),有8件PCT申請(qǐng),器件相關(guān)13件。

    企業(yè)簡(jiǎn)介

    東莞阿爾泰顯示技術(shù)有限公司(AET阿爾泰)是國(guó)內(nèi)早批進(jìn)入LED小間距顯示行業(yè)的廠商之一,廣東光大企業(yè)集團(tuán)旗下高新技術(shù)企業(yè),是廣東省科學(xué)技術(shù)廳認(rèn)定的“廣東省LED微顯示及控制工程技術(shù)研究中心”,集Mini/Micro LED設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)于一體,將半導(dǎo)體材料、芯片、高密度載板、驅(qū)動(dòng)IC和圖像處理相結(jié)合,搭建以全倒裝COB封裝先進(jìn)工藝、Mini/Micro LED前沿核心技術(shù)、優(yōu)質(zhì)高效供應(yīng)鏈和先進(jìn)制造工藝為支撐的超高清LED顯示生態(tài)圈,以創(chuàng)新引領(lǐng)未來視界。

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