兆馳、隆利科技、海目星等7企公布Micro LED專利

    近日，兆馳半導(dǎo)體、長春希達(dá)、第三代半導(dǎo)體研究院、海目星、羅化芯、隆利科技、旭顯未來等企業(yè)紛紛公布最新Micro LED或LED背光專利信息，涉及外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、發(fā)光芯片測(cè)試方法、修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備、芯片封裝體及其制備方法、顯示面板及其形成方法、巨量轉(zhuǎn)移等方面。

    兆馳半導(dǎo)體：一種高空穴注入效率Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

    江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種高空穴注入效率Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118899378A，申請(qǐng)公布日為2024月11月5日，發(fā)明人為舒俊、程龍、高虹、鄭文杰、張彩霞、劉春楊、胡加輝、金從龍。

    專利摘要：本發(fā)明公開了一種高空穴注入效率Micro‑LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的Micro‑LED外延結(jié)構(gòu)包括多量子阱發(fā)光層、多階P型空穴注入增強(qiáng)層和P型半導(dǎo)體層；多階P型空穴注入增強(qiáng)層包括第一階空穴注入增強(qiáng)層、第二階空穴注入增強(qiáng)層和第三階空穴注入增強(qiáng)層；第一階空穴注入增強(qiáng)層包括第一AlGaN層和第一InGaN層；第二階空穴注入增強(qiáng)層包括第二AlGaN層和第二InGaN層，第二InGaN層中摻雜有Mg；第三階空穴注入增強(qiáng)層包括第三AlGaN層、第三InGaN層和第四InGaN層，第三InGaN層和第四InGaN層中分別摻雜有Mg。本發(fā)明高空穴注入效率的Micro‑LED外延結(jié)構(gòu)，可顯著提高P型半導(dǎo)體層的空穴注入效率并改善多量子阱發(fā)光層區(qū)域電子空穴濃度的匹配度，從而提高M(jìn)icro‑LED芯片在低工作電流密度下的光效。

    據(jù)悉，江西兆馳半導(dǎo)體有限公司為深圳市兆馳股份有限公司在江西省南昌市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)區(qū)設(shè)立的全資子公司，注冊(cè)資金為16 億元，總投資 100 億元，是一家專業(yè)從事 LED 外延片和芯片集研發(fā)生產(chǎn)為一體的國家級(jí)高新 技術(shù)企業(yè)，園區(qū)占地約 500 畝，一期廠房、研發(fā)及配套建筑面積約 35 萬多平方米。 母公司深圳市兆馳股份涉及傳統(tǒng) 液晶電視、智能家居、LED全產(chǎn)業(yè)鏈、互聯(lián)網(wǎng)影視傳媒等。公司 LED產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋LED 芯片、封裝、COB 直顯應(yīng)用與Mini LED背光電視等。

    兆馳半導(dǎo)體：用于Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

    江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“用于Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118888657A，申請(qǐng)公布日為2024月11月1日，發(fā)明人為胡加輝、鄭文杰、程龍、高虹、劉春楊、金從龍。

    專利摘要：本發(fā)明公開了一種用于Micro‑LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、Micro‑LED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。其中，外延結(jié)構(gòu)依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、空穴輸運(yùn)層和P型GaN層；多量子阱層包括交替層疊的量子阱層和量子壘層；所述量子阱層為InxGa1‑xN層，所述量子壘層包括依次層疊的InyGa1‑yN層、AlzGa1‑zN層和BwGa1‑wN層；x＞y；所述量子壘層的厚度＜10nm；所述空穴輸運(yùn)層包括依次層疊的AlαGa1‑αN層、BβGa1‑βN層和AlN層；w＞α＞β。實(shí)施本發(fā)明，可提升Micro‑LED在低電流密度下的光效，提升其顯示效果。

    長春希達(dá)：一種Micro-LED發(fā)光芯片測(cè)試方法

    長春希達(dá)電子技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種Micro-LED發(fā)光芯片測(cè)試方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118884188A，申請(qǐng)公布日為2024月11月1日，發(fā)明人為鄭喜鳳、陳煜豐、毛新越、曹慧、汪洋、苗靜、張曦。

    專利摘要：一種Micro‑LED發(fā)光芯片測(cè)試方法，涉及Micro‑LED顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決現(xiàn)有采用TFT的AM驅(qū)動(dòng)技術(shù)驅(qū)動(dòng)Micro‑LED顯示器時(shí)，由于TFT和LED的性能差異會(huì)造成紅綠藍(lán)LED亮度匹配不均造成灰度過度不均勻以及亮度不均勻性的問題。方法通過基于PCB基板設(shè)計(jì)Micro‑LED測(cè)試陣列模組，陣列內(nèi)部采用并聯(lián)方式將LED陣列連接，外部采用電壓源直接驅(qū)動(dòng)方式保證加載到每顆LED上的電壓是一致的。通過測(cè)試紅綠藍(lán)三基色Micro‑LED陣列模組從0灰階到255灰階的數(shù)據(jù)電壓計(jì)算得紅綠藍(lán)模組最小灰階電壓的公約數(shù)以及Micro‑LED白場(chǎng)最小的灰階等級(jí)。本發(fā)明適用于Micro‑LED顯示領(lǐng)域。

    據(jù)了解，長春希達(dá)電子技術(shù)有限公司成立于2001年, 依托于中科院長春光機(jī)所建立，集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)及研究生培養(yǎng)為一體的企業(yè)， 是專業(yè)從事創(chuàng)新性技術(shù)研究的LED顯示與LED照明產(chǎn)品制造商。

    第三代半導(dǎo)體研究院：Micro-LED器件及其制備方法

    江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“Micro-LED器件及其制備方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118867068A，申請(qǐng)公布日為2024月10月29日，發(fā)明人為王陽。

    專利摘要：本發(fā)明公開一種Micro‑LED器件及其制備方法，該方法包括在襯底上依次形成層疊的N型層、第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和第一介質(zhì)層；去除上述膜層的一部分，形成間隔分布的第一凸起、第一凹槽、第二凸起、第二凹槽和第三凸起；在第一凹槽和第二凹槽形成第二介質(zhì)層；去除至少部分第一介質(zhì)層和部分第二介質(zhì)層、露出第一發(fā)光結(jié)構(gòu)并形成第一孔，并形成第一P電極；去除第一凹槽上的第二介質(zhì)層，在第一凹槽槽底依次形成第二發(fā)光結(jié)構(gòu)和第二P電極；去除第二凹槽上的第二介質(zhì)層，并形成第三發(fā)光結(jié)構(gòu)和第三P電極；去除第三凸起、第三凸起表面的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，露出N型層并N電極。采用該方案，保證色彩的純凈度和亮度均勻性，改善發(fā)光效率低下和顏色一致性差的問題。

    江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司（以下簡稱研究院）于2019年7月注冊(cè)于蘇州工業(yè)園區(qū)，是以市場(chǎng)化機(jī)制運(yùn)行的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。研究院以培育發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)為目標(biāo)，聚焦第三代半導(dǎo)體在新型顯示、5G 通信、電力電子、環(huán)境與健康等領(lǐng)域的應(yīng)用，開展第三代半導(dǎo)體高質(zhì)量材料制備技術(shù)、器件外延技術(shù)、芯片工藝技術(shù)、應(yīng)用模塊設(shè)計(jì)與集成技術(shù)、相關(guān)裝備技術(shù)等關(guān)鍵共性技術(shù)研發(fā)和成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，建立覆蓋第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈條、全體系的創(chuàng)新平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)技術(shù)、人才、成果等資源的可持續(xù)供給和配套能力，加快第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的集聚發(fā)展，推動(dòng)基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究和產(chǎn)業(yè)的有機(jī)融合。

    海目星：Micro-LED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備

    海目星激光科技集團(tuán)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“Micro-LED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為N118848253A，申請(qǐng)公布日為2024月10月29日，發(fā)明人為徐念、李兵、譚寶。

    專利摘要：本發(fā)明公開了一種Micro‑LED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備，修復(fù)設(shè)備包括支撐架、激光加工組裝置、物鏡組件、Z軸模組和T軸模組，所述物鏡組件沿T軸方向滑動(dòng)連接于所述支撐架上，所述T軸模組用于驅(qū)動(dòng)所述物鏡組件移動(dòng)，以使物鏡組件中不同倍率的物鏡移動(dòng)至激光加工組裝置射出激光的同軸位置，所述激光加工組裝置沿Z軸方向滑動(dòng)連接于所述支撐架上，所述Z軸模組用于驅(qū)動(dòng)所述支撐架移動(dòng)，以調(diào)節(jié)所述物鏡組件在Z軸方向的位置；修復(fù)方法采用上述修復(fù)設(shè)備實(shí)現(xiàn)Micro‑LED的修復(fù)。本發(fā)明通過不同倍率物鏡的選擇以及物鏡高度的調(diào)節(jié)來自動(dòng)追焦，從而提高加工的精度，同時(shí)提高加工效率。

    海目星激光科技集團(tuán)股份有限公司總部位于深圳，現(xiàn)有海目星（江門）激光智能裝備有限公司、海目星激光智能裝備（江蘇）有限公司、海目星激光智能裝備（成都）有限公司等多家全資子公司。海目星激光一直以來深耕激光和自動(dòng)化領(lǐng)域，主要從事鋰電、光伏、消費(fèi)電子、鈑金加工、先進(jìn)顯示等行業(yè)激光及自動(dòng)化設(shè)備的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售，在激光、自動(dòng)化和智能化綜合運(yùn)用領(lǐng)域已形成較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。

    羅化芯：一種多Micro-LED芯片封裝體及其制備方法

    羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種多Micro-LED芯片封裝體及其制備方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118867073A，申請(qǐng)公布日為2024月10月29日，發(fā)明人為李雍、劉斌、瞿澄、陳文娟。

    專利摘要：本發(fā)明涉及一種多Micro‑LED芯片封裝體及其制備方法，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。在本發(fā)明的多Micro‑LED芯片封裝體的制備方法中，通過優(yōu)化第一氧化鋯鈍化層、第二氧化鋯鈍化層以及第三氧化鋯鈍化層的制備工藝，使得各氧化鋯鈍化層的表面為粗糙結(jié)構(gòu)，進(jìn)而在后續(xù)形成各金屬層時(shí)，可以有效提高二者的結(jié)合性能，進(jìn)而可以有效避免各金屬層剝離，且通過形成第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層，為各Micro‑LED芯片與第二電極之間提供多條導(dǎo)電通路，在后續(xù)的使用過程中，即使某一個(gè)導(dǎo)電通路發(fā)生斷路，這也不妨礙各Micro‑LED芯片的正常使用。

    羅化芯：一種Micro-LED顯示面板及其形成方法

    羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種Micro-LED顯示面板及其形成方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118867074A，申請(qǐng)公布日為2024月10月29日，發(fā)明人為李雍、劉斌、瞿澄、陳文娟。

    專利摘要：本發(fā)明涉及一種Micro‑LED顯示面板及其形成方法，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。在本發(fā)明的Micro‑LED顯示面板的形成方法中，通過在第二半導(dǎo)體層上形成第一透明導(dǎo)電層，并對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，以形成多個(gè)平行排列的條形透明導(dǎo)電凸塊，接著形成第二透明導(dǎo)電層，且設(shè)置第一透明導(dǎo)電層為鎂和氟共摻雜的氧化錫，第二透明導(dǎo)電層為氧化銦錫，通過上述設(shè)置，可以大大提高電流的擴(kuò)散性能，進(jìn)而可以提高M(jìn)icro‑LED單元的發(fā)光性能。

    求是高等研究院：Micro-LED顯示芯片制備方法及Micro-LED顯示芯片

    江西求是高等研究院申請(qǐng)一項(xiàng)名為“Micro-LED顯示芯片制備方法及Micro-LED顯示芯片”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118825173A，申請(qǐng)公布日為2024月10月21日，發(fā)明人為封波、喻文輝、彭康偉。

    專利摘要：本發(fā)明提供了一種Micro‑LED顯示芯片制備方法及Micro‑LED顯示芯片，制備方法包括：在生長襯底上沉積GaN外延層和第一鍵合金屬層；在驅(qū)動(dòng)電路基板表面沉積第二鍵合金屬層后與第一鍵合金屬層鍵合；去除生長襯底及部分GaN外延層后進(jìn)行光刻和刻蝕，以形成若干相互獨(dú)立的Micro‑LED單元；沉積鈍化層和N電極層，得到若干獨(dú)立的發(fā)光臺(tái)面；在相鄰的兩發(fā)光臺(tái)面之間沉積環(huán)形的金屬電極，在金屬電極與發(fā)光臺(tái)面之間填充含有量子點(diǎn)和納米熒光粉的粘性光學(xué)涂層；制備微透鏡陣列后貼合在粘性光學(xué)涂層上，以得到目標(biāo)Micro‑LED顯示芯片。本申請(qǐng)的Micro‑LED顯示芯片為全彩顯示芯片，發(fā)光亮度強(qiáng)、效率高。

    旭顯未來：取得Micro LED巨量轉(zhuǎn)移專利

    國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，旭顯未來(北京)科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種MicroLED芯片巨量轉(zhuǎn)移裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN221885132U，申請(qǐng)日期為2024年2月。專利可通過在焊盤位置設(shè)置凹陷區(qū)，并利用磁性吸附的原理實(shí)現(xiàn)Micro LED芯片的快速定位安裝，可靠性高。

    專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移裝置。一種Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移裝置包括Micro LED芯片、轉(zhuǎn)移基板和搖動(dòng)單元;轉(zhuǎn)移基板上設(shè)置有焊盤位置，焊盤位置處設(shè)置有凹陷區(qū);焊盤位置的其中一個(gè)電極具有磁性;Micro LED芯片兩個(gè)電極具有磁性，其中，Micro LED芯片與轉(zhuǎn)移基板相同定義的電極上具有的磁性與焊盤位置上的磁性相反;搖動(dòng)單元與轉(zhuǎn)移基板傳動(dòng)連接并用于搖動(dòng)轉(zhuǎn)移基板，使Micro LED芯片落于凹陷區(qū)。

    旭顯未來是一家專業(yè)從事Mini/Micro LED顯示屏生產(chǎn)技術(shù)研發(fā)、軟件開發(fā)、技術(shù)服務(wù)、系統(tǒng)集成的高新技術(shù)企業(yè)。在全國范圍內(nèi)布局了五大生產(chǎn)基地，分別位于山東、湖南、江西、安徽、浙江。

    溢彩芯光：一種疊層式全彩Micro-LED微顯示裝置及其制作方法

    溢彩芯光科技（寧波）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種疊層式全彩Micro-LED微顯示裝置及其制作方法”的專利，公開號(hào)CN118782599A，申請(qǐng)公布日為2024月10月15日，發(fā)明人為鮑旭源、馮浩賢。

    專利摘要：本申請(qǐng)公開了一種疊層式全彩 Micro-LED 微顯示裝置及其制作方法，屬于顯示器件技術(shù)領(lǐng)域。包括 CMOS 集成電路板，所述 CMOS 集成電路板上陣列排布有垂直設(shè)置的若干全彩發(fā)光單元，所述全彩發(fā)光單元包括若干單色發(fā)光單元；所述單色發(fā)光單元包括藍(lán)光發(fā)光單元、綠光發(fā)光單元、紅光發(fā)光單元；所述紅光單元由其結(jié)構(gòu)中的綠光氮化鎵發(fā)光層通電激發(fā)發(fā)出紅光，所述綠光發(fā)光單元、紅光發(fā)光單元由 CMOS 集成電路板驅(qū)動(dòng)發(fā)光。本申請(qǐng)采用電致發(fā)光發(fā)出的綠光，較電致發(fā)光產(chǎn)生的藍(lán)光二次激發(fā)綠光量子點(diǎn)發(fā)光所消耗的能量低，可有效降低器件的功耗，并規(guī)避了量子點(diǎn)自身的性能缺陷問題，避免反光擋墻刻蝕過程中刻蝕氣體對(duì)綠光量子點(diǎn)轉(zhuǎn)光層材料的破壞。

    據(jù)了解，溢彩芯光專注于Micro LED微顯示芯片的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心產(chǎn)品為Micro LED微顯示器，具有低功耗、高亮度、高刷新率、高PPI等優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于AR顯示行業(yè)，并擴(kuò)展應(yīng)用到AR-HUD、矩陣車燈、微投影儀等領(lǐng)域。公司已具備“硅基GaN外延片—鈣鈦礦量子點(diǎn)材料—Micro LED芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)—半導(dǎo)體加工”全鏈條能力。

    隆利科技：直下式背光裝置及顯示設(shè)備

    深圳市隆利科技股份有限公司發(fā)公告稱，近日收到由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的一 項(xiàng)發(fā)明專利證書，

    發(fā)明專利《直下式背光裝置及顯示設(shè)備》提供一種改善面光源均勻出光的直下式背光裝置 ，利用直下式背光的整體結(jié)構(gòu)和反射杯上設(shè)置的透光結(jié)構(gòu)，將從 LED 光源射出的光通過所述透光結(jié)構(gòu)在所述反射杯之間傳播，在不增加成本與出光均勻度的條件下，可有效地縮減LED光源與光學(xué)膜片之間的間距使得背光裝置達(dá)到薄型化，克服亮暗不均 ( 的問題 實(shí)現(xiàn)均勻的面光源出光，并且提高了光的利用效率。

    據(jù)了解，深圳市隆利科技股份有限公司深耕背光顯示模組行業(yè)，以LED背光顯示模組為依托，拓展Mini-LED、Micro-LED等新技術(shù)；在現(xiàn)有業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上，同時(shí)向車載、智能穿戴、電競顯示器等領(lǐng)域拓展等。自2016年以來，公司已投入大量資金及人力開展 Mini-LED 技術(shù)的研發(fā)，分別在 IC 驅(qū)動(dòng)、電路設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、光學(xué)以及柔性板封裝方面進(jìn)行了研究和整合。公司的 Mini-LED 技術(shù)率先實(shí)現(xiàn)了多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)突破，已經(jīng)成功應(yīng)用于車載顯示、顯示器以及 VR 等領(lǐng)域。同時(shí)，公司布局了行業(yè)前沿技術(shù)Micro-LED技術(shù)，也儲(chǔ)備了相關(guān)的專利技術(shù)，未來公司將繼續(xù)保持創(chuàng)新理念，進(jìn)一步增強(qiáng)公司的競爭實(shí)力。