加速量產化進程，全球首創(chuàng)無損（Damage-free）Micro-LED芯片發(fā)布

    蘇州秋水半導體科技有限公司于2022年11月注冊成立，立足于創(chuàng)始人所開創(chuàng)的無損（Damage-free）Micro-LED芯片技術路線，融合8英寸半導體混合鍵合先進制程，從光、電、熱、力和穩(wěn)定性五個維度，構建起連接微觀與宏觀的橋梁，從根本上解決Micro-LED技術中材料損傷大、光學效率低、制程良率低、彩色化困難等一系列核心關鍵問題，為全球客戶提供秋水獨有的Micro-LED芯片產品。

    Micro-LED因其高亮度、低能耗、和廣視角等優(yōu)勢，有望在可穿戴設備、車載顯示和增強現(xiàn)實（AR）等領域得到廣泛應用。作為一種新興技術，Micro-LED展現(xiàn)出強勁的發(fā)展勢頭，隨著技術不斷成熟和成本降低，芯片市場規(guī)模將持續(xù)擴大，呈現(xiàn)出更為多樣化的產品形態(tài)和應用場景。

    Micro-LED技術面臨哪些關鍵挑戰(zhàn)？

    在Micro-LED技術面臨的諸多挑戰(zhàn)之中，首當其沖的是在Micro-LED像素化過程中，由于刻蝕工藝帶來的材料損傷問題，嚴重的影響了芯片的效率、同時帶來了應力釋放、漏電和ESD等穩(wěn)定性問題，是阻礙Micro-LED芯片實現(xiàn)高效率、高良率、低成本量產的一大技術難題。

    秋水全球首創(chuàng)無損（Damage-free）

    Micro-LED芯片技術

    秋水半導體全球首創(chuàng)無損（Damage-free）技術路線，開創(chuàng)性地采用了電性絕緣的結構，替代了物理絕緣的方式，在沒有任何材料損傷的情況下，實現(xiàn)了各像素點的電性隔離。由于芯片結構上，發(fā)光層材料完全沒有刻蝕損傷，是解決Micro-LED材料損傷問題的最優(yōu)技術路線。不但可以解決大功率數(shù)字車燈芯片高溫工作環(huán)境下的材料壽命問題，也可以解決紅光Micro-LED芯片由于刻蝕損傷帶來的效率低下的世界性難題。因此，秋水無損技術路線的突破無疑將有助于加速Micro-LED芯片的量產化進程。

    秋水Micro-LED產品成功驗證

    秋水無損技術路線已完成Micro-LED產品成功驗證，且進入客戶送樣環(huán)節(jié)。下圖展示了基于此項技術的產品結構示意圖（左圖），發(fā)光層沒有任何刻蝕損傷。中圖為秋水自主設計的數(shù)字車燈芯片模組產品。右圖也展示了具有完整平面像素區(qū)的產品外觀（右上圖）及藍光單色全屏點亮的展示圖（右下圖）。

    秋水無損Micro-LED芯片結構解密

    秋水無損Micro-LED芯片結構與有材料損傷的Micro-LED芯片結構對比，呈現(xiàn)了發(fā)光材料無損傷，效率無損失、穩(wěn)定性高和無漏電的優(yōu)越性能。在無損技術方案上，同步融合了8寸晶圓級混合鍵合（Hybrid Bonding）先進制程工藝，可實現(xiàn)高分辨率、高良率、低成本的Micro-LED芯片量產，全面賦能Micro-LED產業(yè)。

    混合鍵合（Hybrid Bonding）先進

    制程工藝

    秋水核心技術團隊是中國混合鍵合技術開拓者之一，具備成熟的量產工藝經(jīng)驗，曾實現(xiàn)最小pitch 0.7微米的混合鍵合量產工藝開發(fā)。