BOE、海目星、錼創(chuàng)、高科、精測電子等8企公布Micro LED專利

    近日，BOE京東方、海目星、錼創(chuàng)科技、高科視像、高科華燁、芯聚半導體、精測電子、芯映光電等8企公布Micro LED專利，涉及Micro LED巨量轉(zhuǎn)移、MiP、Micro LED檢測設(shè)備等方面。

    京東方：用于Micro LED巨量轉(zhuǎn)移的加工控制系統(tǒng)和方法

    近期，京東方公布“Micro LED巨量轉(zhuǎn)移”相關(guān)專利進入申請公布階段。本發(fā)明公開一種用于Micro LED巨量轉(zhuǎn)移的加工控制系統(tǒng)和方法。

    其中一實施例的所述控制系統(tǒng)包括：加工控制器用于根據(jù)掃描信息生成待加工的Micro LED基板的加工信息，加工信息包括異常LED的異常坐標信息和所述異常坐標信息對應于異常脈沖信息；振鏡控制器用于根據(jù)加工信息輸出控制振鏡移動的移動控制信號，以及根據(jù)加工信息向脈沖處理模塊輸出第一電脈沖信號；脈沖處理模塊用于對第一電脈沖信號進行處理生成第二電脈沖信號；激光調(diào)整輸出模塊用于根據(jù)第二電脈沖信號或第一電脈沖信號輸出激光脈沖控制信號，激光脈沖控制信號包括對每個LED進行加工的激光工作點信息以及對應于異常LED的激光延遲脈寬信息。

    海目星：Micro LED的轉(zhuǎn)移方法

    海目星“Micro LED轉(zhuǎn)移方法”相關(guān)專利進入申請公布階段。本發(fā)明技術(shù)方案有利于提高目標微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至驅(qū)動基板過程中的轉(zhuǎn)移精準度，提高顯示效果。

    Micro LED的轉(zhuǎn)移方法包括：提供具有多個微發(fā)光二極管的芯片載板以及臨時基板，臨時基板包括依次設(shè)置的襯底、轉(zhuǎn)移層以及承接層；將芯片載板上的多個微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至臨時基板，承接層包括由微發(fā)光二極管覆蓋的第一部分、位于相鄰微發(fā)光二極管之間的第二部分；圖案化承接層，去除承接層的第二部分；對臨時基板上的目標微發(fā)光二極管對應區(qū)域的轉(zhuǎn)移層進行處理，使得臨時基板釋放目標微發(fā)光二極管；以及將目標微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至驅(qū)動基板。

    精立電子、精測電子：一種MicroLED點測設(shè)備

    近期，精立電子和精測電子公布“一種Micro LED點測設(shè)備”相關(guān)專利進入申請公布階段。本發(fā)明通過合理設(shè)計光分布檢測裝置的結(jié)構(gòu)形式，在同一臺設(shè)備上集成光分布檢測裝置和光譜檢測裝置，可以有效提高檢測效率。

    本發(fā)明公開了一種Micro LED點測設(shè)備，包括：光譜檢測裝置、供電裝置、光分布測量裝置和載臺；所述載臺用于承載Micro LED芯片，還用于在水平方向上移動和旋轉(zhuǎn)；所述光譜檢測裝置包括成像式光譜儀和設(shè)置在所述成像式光譜儀前端的放大鏡頭，設(shè)置在所述Micro LED芯片的正上方，用于進行所述Micro LED芯片的光譜檢測；所述供電模塊包括探針和電源，所述探針用于連接待測Micro LED芯片和電源，所述供電模塊用于給所述Micro LED芯片供電；所述光分布測量裝置，用于沿預設(shè)軌跡移動，在不同角度處收集并測量所述Micro LED芯片發(fā)出光的光強度。

    高科華燁：“一種MicroMIP器件制成方法” 相關(guān)專利進入審中公布階段

    本發(fā)明公開了一種Micro MIP器件制成方法，該方法包括以下步驟：S1.將含有LED芯片的COW與臨時載板鍵合并進行激光剝離;S2.進行三色芯片的巨量轉(zhuǎn)移，將三色芯片按照矩陣排列轉(zhuǎn)移到同一載板上;S3.準備一塊鋼化玻璃，并在其單面進行膠水涂布;S4.在鋼化玻璃表面按照矩陣排列進行金屬走線和金屬焊盤的沉積;S5.通過巨量焊接技術(shù)將芯片載板與已制備線路的鋼化玻璃焊接;S6.通過激光剝離技術(shù)剝離芯片的載板;S7.對鋼化玻璃上的結(jié)構(gòu)進行封裝;S8.通過隱切方式對Micro MIP器件進行切割。

    通過本發(fā)明的制成技術(shù)，可以制備出Micro LED顯示屏所需的Micro MIP器件，解決Micro MIP制成周期長、難以實現(xiàn)量產(chǎn)全自動的問題。本發(fā)明的制成方法簡單高效。

    山西高科視像：“一種新型MicroLED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法” 相關(guān)專利進入審中公布階段

    本發(fā)明提供了一種新型Micro LED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法，屬于Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域;解決了普通轉(zhuǎn)移方法轉(zhuǎn)移良率降低、檢測修復困難的問題;包括集巨量轉(zhuǎn)移、巨量檢測和巨量修復于一體的巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng);巨量轉(zhuǎn)移是利用轉(zhuǎn)移頭通過真空將芯片吸起，巨量檢測是利用梯形保護罩兩側(cè)的光電檢測裝置測得Micro LED芯片的工作電壓、亮度和發(fā)光波長等參數(shù)與預設(shè)值做比對，巨量修復是利用巨量轉(zhuǎn)移頭通過信息端反饋的數(shù)據(jù)，控制端控制吸嘴的開關(guān)，實現(xiàn)目標基板上芯片空缺位置的點對點補位。

    本發(fā)明旨在優(yōu)化Micro LED集成封裝技術(shù)，并且通過新型的技術(shù)提升了巨量轉(zhuǎn)移良率，降低修復成本，提高顯示模組的色彩均勻度。

    蘇州芯聚半導體：“Micro-LED芯片及其制備方法” 相關(guān)專利進入審中公布階段

    本發(fā)明揭示了一種MicroLED芯片及其制備方法，MicroLED芯片包括沿出光方向依次堆疊設(shè)置的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和基板、以及粘結(jié)各層的粘結(jié)層，粘結(jié)層包括多個透光孔，透光孔與發(fā)光層的發(fā)光單元芯片的出光方向?qū)�齊。

    該垂直堆疊式的MicroLED芯片通過透光孔的設(shè)計減少了光線穿過有機物的面積，避免了因有機物材料的不穩(wěn)定性造成的透光率不確定、以及有機物材料引發(fā)的光顏色變化的問題，從而一方面顯著提高了光傳輸效率和LED芯片的發(fā)光效率，減少了光損耗，另一方面提高了混光效果，保持了整個面板顯示顏色的一致性。所以，該MicroLED在尺寸更小的同時顯著提升了顯示效果，增強了顯示亮度和色彩純度，具有很高的實用價值和市場前景。

    湖北芯映光電有限公司：“一種LED基板及顯示模組 ”相關(guān)專利進入授權(quán)階段

    本申請涉及一種LED基板及顯示模組，所述LED基板包括：玻璃載板，所述玻璃載板的第一板面設(shè)置有導電線路;HDI線路板，所述HDI線路板固設(shè)于所述玻璃載板的第二板面，且所述HDI線路板與所述玻璃載板上的導電線路電連接，所述第一板面與所述第二板面分別位于所述玻璃載板的相對兩側(cè)。

    本申請通過在HDI線路板上設(shè)置玻璃載板，并將導電線路設(shè)置在玻璃載板上，玻璃載板的表面精度和平整度遠遠大于HDI線路板的表面精度和平整度，有利于芯片的固定安放，能夠應用于Micro LED顯示，解決了相關(guān)技術(shù)中HDI多層線路板制作的基板在Micro LED顯示方面難以應用的技術(shù)問題。