Holst Center采用sALD在PEN箔上創(chuàng)建IGZO OLED顯示器背板

    荷蘭Holst Center研究人員采用空間原子層沉積（sALD）技術(shù)，在薄膜晶體管（TFT）氧化物-TFT（IGZO）顯示器背板上同時創(chuàng)建半導(dǎo)體層和介電層。

    研究人員在薄的PEN箔上創(chuàng)建了200 PPI的QVGA OLED顯示器原型。這展示了如何在廉價的透明塑料箔片上使用sALD在低溫工藝（低于200攝氏度）下生產(chǎn)TFT。TFT的遷移率達到8 cm2/V2，通道長度降至1μm。

    sALD設(shè)備由Holst Center開發(fā)，并由從Holst衍生出來的初創(chuàng)公司SALDtech進行商業(yè)化。 SALDtech當(dāng)前提供1代（320x250 mm）工具，目前正在開發(fā)生產(chǎn)設(shè)備。