容量翻倍超頻縮缸 單條8GB內(nèi)存橫向測(cè)試

    評(píng)測(cè)總結(jié)：?jiǎn)螚l8GB為何難上高頻

    參與本次測(cè)試的5款單條8GB內(nèi)存涵蓋普通內(nèi)存和超頻內(nèi)存。出人意料的是，單條8GB內(nèi)存超頻相當(dāng)艱難。市面上的主 流4GB DDR3-1333內(nèi)存可以輕松超頻到1600MHz以上，筆者在315期間打假，曾用過(guò)假冒的金士頓2GB DDR3-1333內(nèi)存在同樣的AMD平臺(tái)，將這款假冒內(nèi)存超頻至1640MHz并通過(guò)評(píng)測(cè)軟件。

    本次參與的超頻內(nèi)存，數(shù)金邦和芝奇單條8GB超頻內(nèi)存的超頻能力較差，基本就可以看做普通內(nèi)存加散熱片。金士頓單條8GB內(nèi)存普條的超頻性能也不如人意。即使能超的威剛單條8GB普條和海盜船單條8GB超頻內(nèi)存，未能突破1700MHz。

    為何單條8GB內(nèi)存的容量翻倍，然而超頻性能卻大打折扣，甚至連普通的假冒4GB DDR3-1333內(nèi)存都不如。業(yè)內(nèi)人士指出，單條8GB內(nèi)存的顆粒芯片面積擴(kuò)大，存儲(chǔ)密度提高，遺憾的是制造工藝未能跟上，漏電率上升，超頻性能大打折扣。

    如果從8GB內(nèi)存顆粒中挑選出體質(zhì)強(qiáng)悍的芯片，能超頻至2133MHz以上，價(jià)格不菲。另一個(gè)辦法則是提高內(nèi)存顆粒的制造工藝，降低漏電率，可以帶動(dòng)單條8GB內(nèi)存的整體超頻能力，精心挑選出來(lái)的顆粒芯片，可以超頻至更高的頻率。

    值得我們注意的是，芝奇單條8GB超頻內(nèi)存價(jià)格跌至400元以?xún)?nèi)，有利于壓低其他單條8GB內(nèi)存價(jià)格。筆者建議對(duì)單條8GB內(nèi)存有需求的網(wǎng)友，持幣等待單條8GB內(nèi)存跌至合理價(jià)位。