日前召開的ARM技術(shù)大會上,三星電子傳出消息,計劃大力推動高-K介質(zhì)的32nm制程。
今年6月,韓國三星表示自己的代工廠已經(jīng)可以使用高-K/金屬柵極技術(shù),滿足制造32nm低功耗制程的要求。三星即將成為首家符合高-k/金屬柵極技術(shù)的代工廠。
據(jù)三星半導(dǎo)體公司代工業(yè)務(wù)部設(shè)計實現(xiàn)總裁Kuang-KuoLin透露,現(xiàn)在“制程和設(shè)計”都已就緒。
他在ARM技術(shù)大會上表示“就代工廠的高-k/金屬柵極而言,我們走在前列!
三星也是IBM公司晶圓俱樂部的成員。據(jù)報道,該俱樂部在高-k技術(shù)研發(fā)方面正面臨困難。在簡短采訪中,Lin否認(rèn)了這一報道,他說三星目前在高-k方面的努力“進(jìn)展不錯”。
Lin說,實際上三星對該工藝制程“興趣很大”,代工客戶包括蘋果、高通和賽靈思。
路線圖的下一步是28nm制程。目前,GlobalFoundries和三星都將在2011年第一季度進(jìn)入“可量產(chǎn)”階段。