華燦光電2023年年度報(bào)告：營(yíng)收29億元，同增23.28%

    4月1日，華燦光電（300323）發(fā)布2023年年度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入290,330.79萬(wàn)元，較上年同期增長(zhǎng)23.28%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為-84,569.20萬(wàn)元，較上年同期下降69,865.65萬(wàn)元。資產(chǎn)總額1,137,166.74萬(wàn)元，資產(chǎn)負(fù)債率33.77%；歸屬于上市公司股東的凈資產(chǎn)為753,112.13萬(wàn)元，較上年同期增長(zhǎng)19.89%。

主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和財(cái)務(wù)指標(biāo)

分季度主要財(cái)務(wù)指標(biāo)

營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成

主要業(yè)績(jī)驅(qū)動(dòng)因素：

    對(duì)比2022年，公司營(yíng)收水平明顯上升，但虧損有所增加。2023年，公司積極推行滿銷促滿產(chǎn)策略，全面深化客戶導(dǎo)向，照明、直顯、背光三大業(yè)務(wù)線深拓，客戶產(chǎn)品開發(fā)等組織能深入到客戶一線，了解客戶的痛點(diǎn)和需求。在BOE品牌賦能加持下，照明BU、直顯BU、背光BU、海外大客戶BU營(yíng)銷能力大幅提升，實(shí)現(xiàn)銷量和營(yíng)收的明顯上升。

    公司內(nèi)通過(guò)產(chǎn)能提升、原材料降本、工藝優(yōu)化等措施有效降低產(chǎn)品成本，但由于經(jīng)濟(jì)恢復(fù)緩慢，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，LED終端市場(chǎng)需求疲弱使得整體庫(kù)存去化緩慢，新玩家入局后競(jìng)爭(zhēng)加劇，市場(chǎng)價(jià)格承壓，量增價(jià)跌， 導(dǎo)致公司產(chǎn)品毛利率受到較大影響。

    公司是全球領(lǐng)先的LED芯片及先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，主要業(yè)務(wù)為 LED芯片、LED外延片、藍(lán)寶石襯底及第三代半導(dǎo)體化合物 GaN 電力電子器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)基地為全資子公司云南藍(lán)晶，LED外延片和LED芯片的生產(chǎn)主要在張家港和義烏兩地進(jìn)行，珠海廠區(qū)投入建設(shè)中。藍(lán)寶石襯底是LED外延片的重要原材料，為公司芯片生產(chǎn)提供穩(wěn)定供應(yīng)保障及有效成本控制。

    在知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面，截至2023年12月31日，華燦光電公司及子公司專利及軟件著作權(quán)共1253項(xiàng)（其中已授權(quán)939項(xiàng)，正在審核中314項(xiàng)），其中發(fā)明專利856項(xiàng)，實(shí)用新型82項(xiàng)（1項(xiàng)在報(bào)告期內(nèi)到期），外觀設(shè)計(jì)1項(xiàng)。

報(bào)告期內(nèi)主要經(jīng)營(yíng)情況

    報(bào)告期內(nèi)，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)主要為研發(fā)、生產(chǎn)和銷售LED襯底片、外延片及芯片，公司為L(zhǎng)ED外延、芯片行業(yè)第一梯隊(duì)供應(yīng)商，藍(lán)寶石襯底片保持國(guó)內(nèi)市場(chǎng)領(lǐng)先供應(yīng)商地位，GaN基電力電子器件目前處于研發(fā)和量產(chǎn)性突破階段，預(yù)計(jì)2024年底前通過(guò)可靠性驗(yàn)證，具備量產(chǎn)條件。

    （1）在LED襯底材料領(lǐng)域：公司擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的晶體生長(zhǎng)方法“坩堝下降法”以及自行設(shè)計(jì)制造加工的MCGE型晶體爐進(jìn)行藍(lán)寶石晶體的生長(zhǎng)，相較其他長(zhǎng)晶方法（如“泡生法”、“熱交換法”等），“坩堝下降法”具有如下特點(diǎn)：1.設(shè)備簡(jiǎn)單，操作程序容易控制，便于實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)控制，成品率高，擴(kuò)產(chǎn)能力迅速，容易大規(guī)模量產(chǎn)；2.下降法生長(zhǎng)單晶更符合自然規(guī)律，熔體內(nèi)雜質(zhì)和汽泡更容易排出，從而得到優(yōu)良單晶體；3.操作靈活性高，可以在同一臺(tái)晶體爐內(nèi)生長(zhǎng)任意方向的2-8英寸等徑單晶體。不同尺寸晶體的綜合良率如表格所示：

    （2）LED外延片性能持續(xù)提升，報(bào)告期內(nèi)白光外延性能提亮2%+，RGB外延性能提亮3%~7%，6寸Micro-RGB波長(zhǎng)集中度達(dá)成客戶要求，達(dá)到國(guó)際最高水平。

    （3）LED芯片按色系區(qū)分，公司LED芯片主要產(chǎn)品及主要應(yīng)用領(lǐng)域如下：