華燦光電2023年年度報(bào)告:營(yíng)收29億元,同增23.28%

來(lái)源:投影時(shí)代 更新日期:2024-04-02 作者:佚名

    4月1日,華燦光電(300323)發(fā)布2023年年度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi),公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入290,330.79萬(wàn)元,較上年同期增長(zhǎng)23.28%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為-84,569.20萬(wàn)元,較上年同期下降69,865.65萬(wàn)元。資產(chǎn)總額1,137,166.74萬(wàn)元,資產(chǎn)負(fù)債率33.77%;歸屬于上市公司股東的凈資產(chǎn)為753,112.13萬(wàn)元,較上年同期增長(zhǎng)19.89%。

主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和財(cái)務(wù)指標(biāo)

分季度主要財(cái)務(wù)指標(biāo)

營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成

主要業(yè)績(jī)驅(qū)動(dòng)因素:

    對(duì)比2022年,公司營(yíng)收水平明顯上升,但虧損有所增加。2023年,公司積極推行滿銷促滿產(chǎn)策略,全面深化客戶導(dǎo)向,照明、直顯、背光三大業(yè)務(wù)線深拓,客戶產(chǎn)品開發(fā)等組織能深入到客戶一線,了解客戶的痛點(diǎn)和需求。在BOE品牌賦能加持下,照明BU、直顯BU、背光BU、海外大客戶BU營(yíng)銷能力大幅提升,實(shí)現(xiàn)銷量和營(yíng)收的明顯上升。

    公司內(nèi)通過(guò)產(chǎn)能提升、原材料降本、工藝優(yōu)化等措施有效降低產(chǎn)品成本,但由于經(jīng)濟(jì)恢復(fù)緩慢,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈,LED終端市場(chǎng)需求疲弱使得整體庫(kù)存去化緩慢,新玩家入局后競(jìng)爭(zhēng)加劇,市場(chǎng)價(jià)格承壓,量增價(jià)跌, 導(dǎo)致公司產(chǎn)品毛利率受到較大影響。

    公司是全球領(lǐng)先的LED芯片及先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,主要業(yè)務(wù)為 LED芯片、LED外延片、藍(lán)寶石襯底及第三代半導(dǎo)體化合物 GaN 電力電子器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)基地為全資子公司云南藍(lán)晶,LED外延片和LED芯片的生產(chǎn)主要在張家港和義烏兩地進(jìn)行,珠海廠區(qū)投入建設(shè)中。藍(lán)寶石襯底是LED外延片的重要原材料,為公司芯片生產(chǎn)提供穩(wěn)定供應(yīng)保障及有效成本控制。

    在知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面,截至2023年12月31日,華燦光電公司及子公司專利及軟件著作權(quán)共1253項(xiàng)(其中已授權(quán)939項(xiàng),正在審核中314項(xiàng)),其中發(fā)明專利856項(xiàng),實(shí)用新型82項(xiàng)(1項(xiàng)在報(bào)告期內(nèi)到期),外觀設(shè)計(jì)1項(xiàng)。

報(bào)告期內(nèi)主要經(jīng)營(yíng)情況

    報(bào)告期內(nèi),公司主營(yíng)業(yè)務(wù)主要為研發(fā)、生產(chǎn)和銷售LED襯底片、外延片及芯片,公司為L(zhǎng)ED外延、芯片行業(yè)第一梯隊(duì)供應(yīng)商,藍(lán)寶石襯底片保持國(guó)內(nèi)市場(chǎng)領(lǐng)先供應(yīng)商地位,GaN基電力電子器件目前處于研發(fā)和量產(chǎn)性突破階段,預(yù)計(jì)2024年底前通過(guò)可靠性驗(yàn)證,具備量產(chǎn)條件。

    (1)在LED襯底材料領(lǐng)域:公司擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的晶體生長(zhǎng)方法“坩堝下降法”以及自行設(shè)計(jì)制造加工的MCGE型晶體爐進(jìn)行藍(lán)寶石晶體的生長(zhǎng),相較其他長(zhǎng)晶方法(如“泡生法”、“熱交換法”等),“坩堝下降法”具有如下特點(diǎn):1.設(shè)備簡(jiǎn)單,操作程序容易控制,便于實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)控制,成品率高,擴(kuò)產(chǎn)能力迅速,容易大規(guī)模量產(chǎn);2.下降法生長(zhǎng)單晶更符合自然規(guī)律,熔體內(nèi)雜質(zhì)和汽泡更容易排出,從而得到優(yōu)良單晶體;3.操作靈活性高,可以在同一臺(tái)晶體爐內(nèi)生長(zhǎng)任意方向的2-8英寸等徑單晶體。不同尺寸晶體的綜合良率如表格所示:

    (2)LED外延片性能持續(xù)提升,報(bào)告期內(nèi)白光外延性能提亮2%+,RGB外延性能提亮3%~7%,6寸Micro-RGB波長(zhǎng)集中度達(dá)成客戶要求,達(dá)到國(guó)際最高水平。

    (3)LED芯片按色系區(qū)分,公司LED芯片主要產(chǎn)品及主要應(yīng)用領(lǐng)域如下:

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