疊層全彩Micro LED研究新發(fā)展！單片集成全彩Micro LED或為AR/VR帶來新變革?

    Micro LED的發(fā)展方興未艾，全彩化、巨量轉移良率、封裝測試等都是Micro LED成功量產并商業(yè)化路上的阻礙。近日，外媒報道日本名城大學與KAUST共同研發(fā)了像素密度為330PPI的單片疊層RGB氮化鎵銦（GaInN）Micro LED陣列，成為Micro LED全彩化技術上的又一新發(fā)展。

    國內外Micro LED全彩化突破

    據上述研究人員表示，該單片疊層RGB氮化鎵銦（GaInN）Micro LED陣列可應用在AR/VR/MR等頭戴智能設備上，這些設備所需的微米級像素顯示無法通過機械組裝技術制造，因此需要用到單片制造技術。

    對于氮化鎵銦材料的應用，研究人員解釋到，雖然基于氮化鎵銦的LED在較長波長下遇到了較大的效率問題，但對于可見光譜里的紅光效率，氮化鎵銦已取得了新的進展。此外，相較常用的紅光LED材料磷化鋁鎵銦，氮化鎵銦LED的發(fā)光效率受Micro LED尺寸縮小的影響較小。 

    LED 多重堆疊結構的橫截面示意圖

    除海外研究的新發(fā)展，五月份我國廈門大學也在Micro LED全彩顯示技術方面取得突破性進展。

    研究團隊利用玻璃微孔陣列，將雙組分鈣鈦礦量子點應用于藍光Micro LED色轉換層中，從而實現紅藍光發(fā)光強度和穩(wěn)定性的提升。這項研究從性能提升、工藝精簡方面“雙管齊下”，突破當前Micro LED紅光色轉換技術瓶頸，以更低成本實現了高質量Micro-LED全彩顯示效果，推動了我國Micro LED全彩顯示技術的產業(yè)化發(fā)展。

    或成為AR/VR顛覆性革新

    隨著國內外單片集成全彩Micro LED顯示技術快速成熟，將極大地推動AR行業(yè)的快速發(fā)展。

    在過去LCoS、Micro OLED的亮度都無法滿足光波導鏡片的需求，但Micro LED微型顯示器兼具高分辨率、高像素密度、高亮度、低功耗等優(yōu)勢，是光波導鏡片最佳的搭配。單片全彩集成Micro LED微型顯示器或將是AR眼鏡最重要的核心顯示技術。

    UDE2023：鐳昱全彩Micro LED微顯示屏

    在UDE2023上，鐳昱展出單片集成全彩化Micro LED微顯示屏，通過獨有的光學隔離結構，有效降低RGB顏色光串擾，進而實現了更高對比度和色彩飽和度，為未來消費級AR/VR眼鏡賦能。