德國半導體制造商追求備用LED基板戰(zhàn)略

    Azzurro（德國半導體制造商）使用公司的硅基氮化鎵LED模板晶片，在波長變化的生產(chǎn)和實驗室樹立了里程碑，現(xiàn)在Air Water（日本安曇野市的愛沃特株式會社）正使用愛思強公司全新的有機金屬化學氣相沉積反應器制造碳化硅基氮化鎵架構(gòu)。

    從性能的角度來看，使用釤基氮化鎵或碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術(shù)可以繼續(xù)推進產(chǎn)業(yè)的前進，我們也有理由相信這樣可以繼續(xù)最大限度地減少LED的成本和更廣泛的固態(tài)照明（SSL）。Azzurro正在尋求硅基氮化鎵晶半導體圓模板，并宣布其生產(chǎn)方案已在研發(fā)實驗室達到3納米波長均勻度和1納米的均勻度，與此同時，Air Water在硅晶片上加上碳化硅層，以此來減少缺陷，并使LED輸出更多的光。

    硅的吸引力是可以保持晶片的低成本，以及后端LED制造工藝的自動化，并按集成電路（IC）工廠線使用。這也就是說，LED顯示器可以減少組件元件成本以及SSL系統(tǒng)的材料清單。

    硅基氮化鎵模板

    我們前面已經(jīng)介紹過德國德累斯頓的發(fā)展策略：制造商可以通過使用自己的知識產(chǎn)權(quán)增長此模板的外延結(jié)構(gòu)。想必Azzurro的制造商會處理LED硅處理方面的困難，包括晶片的處理和可變晶片的厚度問題。

    Azzurro在近日舉行的國際會議上宣布了其最新的里程碑式的氮化物半導體2013（ICNS-10）�！拔覀兒芨吲d，也很自豪能夠做出1.0納米的成就，”Azzurro的聯(lián)合創(chuàng)始人Alexander Loesing這樣說道：“有了這些結(jié)果，我們證明了我們的硅基氮化鎵技術(shù)可以使LED行業(yè)接近1-bin LED晶片的目標�！�

    該實驗室開發(fā)的1納米均勻性就可以產(chǎn)生1-bin的LED顏色，但Azzurro并沒明確指出這一成就，因為它可能會被商業(yè)化。即使是3納米的均勻性成果在生產(chǎn)環(huán)境中也會缺乏一定的可信度，直到這樣的LED出現(xiàn)在市面上。Azzurro表明：此成就使用了150毫米（6英寸）晶片，也可以在1.3％以內(nèi)均勻交付正向電壓。

    碳化硅基氮化鎵架構(gòu)

    根據(jù)Aixtron的公告顯示：總部設在日本安曇野市的工業(yè)氣體生產(chǎn)商Air Water集團，正在使用一種新方法來將碳化硅層加入到硅晶片，這是一種包括有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）反應器的LED設備，用來擴展化合物半導體外延層。愛思強公司說，它安裝的AIX G5 HT行星式反應器可以在集成6*8的晶片。

    科瑞已經(jīng)證明此架構(gòu)可以很好的發(fā)揮LED的作用，能始終如一地散發(fā)完美的光效。碳化硅提供了更好的結(jié)晶性，這樣就可以減少缺陷，提供更多光輸出之間的匹配。但是，碳化硅晶片的成本顯然高于藍寶石晶片的成本，雖然科瑞在使用該技術(shù)有很明顯的價格競爭力。

    想必Air Water的此架構(gòu)也會盡快完成，與此同時，碳化硅層將提供一個如同氮化鎵層的更好晶片，借以形成LED結(jié)構(gòu)。

    當然，同質(zhì)襯底和外延層之間一定存在著某種路徑，比如Soraa正在追求的東西，但顯然，氮化鎵晶片比碳化硅晶片更昂貴。