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TriQuint推出新型高性能GaAs射頻驅動放大器

采用新型封裝、具備先進功能并支持50-500 MHz帶寬
來源:投影時代 更新日期:2012-09-12 作者:佚名

    技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司,推出兩款采用新封裝的1W和2W砷化鎵 (GaAs) 射頻驅動放大器,它們在CDMA、WCDMA和LTE基站或類似應用中能夠提供一流的線性度、低功耗和先進的保護功能。這些高性能放大器有極寬工作帶寬并且非常堅固,在操作范圍50到1500 MHz之間提供高性能。

    TQP7M9105和TQP7M9106 是不斷發(fā)展壯大的TriQuint 第三代5V線性驅動器放大器產品系列的最新成員。除了在蜂窩收發(fā)基站 (BTS) 應用中的卓越性能以外,它們同樣非常適用于遠程無線電頭端 (RRH) 和小蜂窩基站的射頻設計。

    新的TQP7M9105在1 dB增益壓縮(P1dB) 提供1W(+30 dBm)的射頻輸出功率及19.4 dB的增益,輸出三階截取點(OIP3)為49 dBm, 達到同類產品的最高線性度,同時從其單一 的+5 V電源,耗電僅220 mA。TQP7M9106提供2W(+33 dBm)的P1dB射頻輸出功率, 增益為20.8 dB, 輸出三階截取點為50dBm, 大于競爭器件,從其 +5 V電源,耗電僅455 mA。這兩款器件都集成了片上電路,這使它們能夠達到工作模式為 A類但效率為 AB類的放大器的典型線性度。

    另外這兩種產品還具有出色的耐電強度,能夠處理它們經常會遇到的“超出規(guī)范的”工作條件。例如,它們能夠提供射頻輸入過載保護和直流過壓保護。此外,它們的片上靜電放電 (ESD) 保護使它們能夠滿足嚴格的 1C類 HBM規(guī)范要求,這使它們能夠經受通常會在正常制造環(huán)境中遇到的大部分雜散電壓。這兩種產品采用符合RoHS標準的無鉛SOT-89 (TQP7M9105) 封裝和4x4mm QFN (TQP7M9106) 表面貼裝封裝。

   

技術細節(jié):
TQP7M9105 50 - 1500 MHz射頻驅動器放大器,1W (+30 dBm) P1dB 射頻輸出功率,+49 dBm OIP3,19dB 增益,片上射頻輸入過載、直流過壓和靜電放電保護。一個 +5V 電源,220mA電流消耗;采用3引腳SOT-89封裝。
TQP7M9106 50 - 1500 MHz射頻驅動器放大器,2W (+33dBm) P1dB 射頻輸出功率,+50dBm OIP3,20dB 增益,片上射頻輸入過載、直流過壓和靜電放電保護。一個 +5V 電源,455mA電流消耗;采用24引腳4x4mm QFN封裝。

    新TQP7M9105和TQP7M9106驅動器放大器現已投產并供應完整組裝的評估夾具。

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