大功率線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中,其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展,寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴頻技術(shù)對固態(tài)線性功率放大器設(shè)計提出了更高的要求,即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。
通常情況下,在HF~VHF頻段設(shè)計的寬帶射頻功放,采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計方便簡單,正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高,且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差,易于阻抗匹配,另外偏置電路比較簡單,設(shè)計的放大電路增益高,線性好。
本文的大功率寬頻帶線性射頻放大器是利用(MOSFET)來設(shè)計的,采取AB類推挽式功率放大方式,其工作頻段為O 6M~10MHz,輸出的脈沖功率為1200W。經(jīng)調(diào)試使用,放大器工作穩(wěn)定,性能可靠。調(diào)試、試驗和實用時使用的測試儀器有示渡器、頻譜分析儀、功率汁、大功率同軸衰減器、網(wǎng)絡(luò)分析儀和射頻信號發(fā)生器。
1 脈沖功率放大器設(shè)計
1.1 電路設(shè)計
設(shè)計的寬頻帶大功率脈沖放大器模塊要求工作頻段大于4個倍頻程,而且輸出功率大,對諧波和雜波有較高的抑制能力;另外由于諧波是在工作頻帶內(nèi),因此要求放大器模塊具有很高的線性度。
針對設(shè)計要求,設(shè)計中射頻功率放大器放大鏈采用三級場效應(yīng)管,全部選用MOSFET。每級放大均采用AB類功率放大模式,且均選用推挽式,以保證功率放大器模塊可以寬帶工作?紤]到供電電源通常使用正電壓比較方便,因此選用增強型MOS場效應(yīng)管。另外為了展寬頻帶和輸出大功率,采用傳輸線寬帶匹配技術(shù)和反饋電路,以達(dá)到設(shè)計要求。
由于本射頻功率放大器輸出要求為大功率脈沖式發(fā)射,因此要求第一、二級使用的MOSFET應(yīng)具備快速開關(guān)切換,以保證脈沖調(diào)制信號的下降沿和上升沿完好,減少雜波和諧波的干擾。設(shè)計中第一、二級功率放大選用MOSFET為IRF510和IRF530。最后一級功放要求輸出脈沖功率達(dá)到1200W,為避免使用功率合成技術(shù),選用MOSPRT MRFl57作為最后的功率輸出級。所設(shè)計的射頻脈沖功率放大器電路原理圖如圖1所示。
圖1
發(fā)射通道的建立都是在信號源產(chǎn)生射頻信號后經(jīng)過幾級的中間級放大才把信號輸入到功率放大級,最后通過天線把射頻信號發(fā)射出去。
圖1中,輸入信號為20~21dBm,50Ω輸入;工作電壓為15V和一48V,其中15V為第一、二級功放提供工作電壓,48V為最后一級功放提供工作電壓;6V穩(wěn)壓輸出可以使用15V或48V進(jìn)行穩(wěn)壓變換,電路整體設(shè)計采用AB類功率放大,設(shè)計的駐波比為1.9。經(jīng)過中間級放大后的信號,首先通過Tl(4:1)阻抗變換后進(jìn)人功率放大器。在信號的上半周期Q1導(dǎo)通,信號的下半周期Q2導(dǎo)通;然后輪流通過T2(16:1)阻抗變換進(jìn)入第二級放大,同樣信號的上半周期Q3導(dǎo)通,下半周期Q4導(dǎo)通,完成整個信號全周期的能量放大;進(jìn)入最后一級放大時使用T3(4:1)阻抗變換,以繼續(xù)增加工作電流驅(qū)動大功率MOSFETMRFl57。為保證50Ω輸出,輸出端的阻抗變換為T4(1:9)。
電路中使用負(fù)反饋電路的目的是在整個帶寬頻率響應(yīng)內(nèi)產(chǎn)生一個相對平穩(wěn)的功率增益,保持增益的線性度,同時引進(jìn)負(fù)反饋電路,有利于改善輸入回?fù)p和低頻端信號功率放大的穩(wěn)定性。
另外每一級電路設(shè)計中,都使用了滑動變阻器來設(shè)置每個管子的偏置電壓,這樣做大大降低了交越失真的發(fā)生,盡可能使放大信號在上、下半周期的波形不失真。