國星光電研究院推出新能源領(lǐng)域用KS系列SiC MOSFET

來源:投影時代 更新日期:2022-11-07 作者:佚名

    劍指第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,國星光電產(chǎn)品布局再完善!近日,國星光電研究院乘勢推出以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS系列產(chǎn)品,可應(yīng)用于移動儲能、光伏逆變、新能源汽車充電樁等場景,為新能源市場再添實力猛將!

SiC MOSFET里的“星”封裝

    國星光電NSiC-KS

    隨著工業(yè)4.0時代及新能源汽車的快速普及,工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能的要求也不斷提高,新型高頻器件SiC MOSFET因其耐壓高、導(dǎo)通電阻低、開通損耗小等優(yōu)異特點,正以迅猛發(fā)展之勢搶占新能源市場。

    國星光電憑借領(lǐng)先的封裝技術(shù)優(yōu)勢,通過科學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計,采用帶輔助源極管腳的TO-247-4L作為NSiC-KS系列產(chǎn)品的封裝形式,并將之應(yīng)用于SiC MOSFET上,取得分立器件在開關(guān)損耗、驅(qū)動設(shè)計等方面的新突破。

    國星光電NSiC-KS亮點在何處?

    比一比,就知道

    

    以國星光電第三代半導(dǎo)體 NSiC系列 1200V 80mΩ的SiC MOSFET產(chǎn)品為例,一起來對比常規(guī)TO-247-3L封裝和以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS封裝在“封裝設(shè)計”“開通損耗”“開關(guān)損耗”及“開關(guān)頻率及誤啟風(fēng)險”四個方面的差異。

    快速閱讀,先看結(jié)論:

    采用NSiC-KS封裝的SiC MOSFET,避免了驅(qū)動回路和功率回路共用源極線路,實現(xiàn)了這兩個回路的解耦,使得NSiC-KS封裝的SiC MOSFET開關(guān)損耗、開通損耗均明顯降低,開關(guān)頻率更快,寄生電感與誤開啟風(fēng)險更低。

    查看TO-247-3L封裝 VS NSiC-KS封裝對比

    01.封裝設(shè)計

    NSiC-KS系列產(chǎn)品的封裝形式相對于TO-247-3L,NSiC-KS系列產(chǎn)品多了一個S極管腳,其可稱為輔助源極或者開爾文源極腳KS(Kelvin-Source)。

02.開通損耗

    ■TO-247-3L封裝:

    在SiC MOSFET開通過程中,漏極電流ID迅速上升,較高的電流變化率在功率源極雜散電感Lsource上產(chǎn)生較大的正壓降LSource*(dID)/dt(上正下負(fù)),該壓降使得SiC MOSFET芯片上的門極電壓VGS_real在開通的瞬間不是驅(qū)動電壓的數(shù)值,而是減掉Lsource上產(chǎn)生的電壓,所以,開通瞬間的門極電壓大幅下降,導(dǎo)致ID上升速度減慢,Eon因此而增大。

■NSiC-KS封裝:

    基于開爾文源極腳(KS)的存在,門極回路中沒有大電流穿過,沒有來自主功率回路的擾動,芯片的門極能正確地感受到驅(qū)動電壓,從而降低了開通損耗。經(jīng)過實測對比,NSiC-KS封裝較之TO-247-3L封裝,開通損耗可明顯降低約55%。

03.開關(guān)損耗

    由于NSiC-KS封裝開爾文源極腳(KS)可以分離電源源極引腳和驅(qū)動器源極引腳,可減少電感分量的影響,讓SiC MOSFET的高速開關(guān)性能得以充分發(fā)揮。經(jīng)過實測對比,NSiC-KS封裝較之TO-247-3L封裝,開關(guān)損耗降低約35%。

04.開關(guān)頻率及誤啟風(fēng)險

    ■開啟時:

    TO-247-3L封裝在漏-源間通過大電流時,因源極引腳的電感效應(yīng),會降低柵極開啟電壓,降低了導(dǎo)通速度。

    NSiC-KS封裝中,由于增加了開爾文源極腳(KS),降低了源極引腳電感效應(yīng),通過SiC  MOSFET的VGS電壓幾乎等于柵極驅(qū)動電壓VDRV。因此,如下圖所示:與TO-247-3L封裝相比,NSiC-KS封裝有助于提高SiC  MOSFET開關(guān)速度。

■關(guān)斷時:

    NSiC-KS封裝中柵極回路沒有大電流流過,基本不會產(chǎn)生反向感應(yīng)電動勢VLS,因而受到極低的功率回路的串?dāng)_,減小了關(guān)斷時VGS電壓的振蕩幅度,降低誤開啟的風(fēng)險。

    國星光電NSiC-KS SiC MOSFET產(chǎn)品

    多款選擇,因需而至

    為滿足市場需求,國星光電NSiC-KS SiC MOSFET產(chǎn)品有多款型號選擇。同時,基于公司具備完整的SiC分立器件生產(chǎn)線,國星光電可根據(jù)客戶需要,提供高性能、高可靠性、高品質(zhì)的產(chǎn)品技術(shù)解決方案。

    厚積薄發(fā),走得更遠(yuǎn)。國星光電持續(xù)實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略,走深走實“三代半封測”領(lǐng)域,積極打破關(guān)鍵技術(shù)壁壘,為我國第三代半導(dǎo)體國產(chǎn)化提供更多高品質(zhì)的“星”方案,注入磅礴“星”力量。

廣告聯(lián)系:010-82755684 | 010-82755685 手機(jī)版:m.pjtime.com官方微博:weibo.com/pjtime官方微信:pjtime
Copyright (C) 2007 by PjTime.com,投影時代網(wǎng) 版權(quán)所有 關(guān)于投影時代 | 聯(lián)系我們 | 歡迎來稿 | 網(wǎng)站地圖
返回首頁 網(wǎng)友評論 返回頂部 建議反饋
快速評論
驗證碼: 看不清?點一下
發(fā)表評論